硅表面疏水性处理微观机理与亲水性处理机理相似，香港亲水处理，硅表面成为疏性的基本条件为B=A=r（SL）- r（SG）＞0

硅片表面必须由高能转化为低能表面。从上式可以看出:完成上述转化的条件为或者使 r（SG）下降，或者r（SL）上升。方法还是改变其表面结构，使 r（SG）减小。硅片经过特殊清洗液洗时，表面形成的自然氧化膜腐蚀掉，亲水处理仪器，Si几乎不被腐蚀。硅片外层的Si儿乎以H键为终端结构，表面呈疏水性。

氧等离子体处理后的PDMS，其表面引入了亲水性质的-OH基团，并代替了-CH基团，从而使PDMS表面表现出极强的亲水性质。同样，由于硅基底通过处理，怎么亲水处理，表面含有大量Si-O键，实验亲水处理，在氧等离子体处理的过程中，Si-O键被打断，从而在表面形成大量的si悬挂键，通过吸收空气中-OH，形成了Si-OH键。将处理后的PDMS与硅表面相贴合，两表面的Si-OH之间发生如下反应:2Si-OH⑧Si-O-Si 2H2O。在硅基底与PDMS之间形成了牢固的Si-O键结合，从而完成了二者间不可逆键合。

硅是地壳中含量仅次于氢和氧的元素，它通常以化合物的形态存在于大自然中。现代，以硅为主的半导体材料已经是微电子信息产业和太阳能光伏产业主要的基础功能材料，在国民经济和工业中占有很重要的地位。硅片作为芯片的片基，在进行电路集成之前要进行一系列的准备工作。硅片的亲疏水处理就属于前期准备范畴。表面的浸润性与许多物理化学过程，如吸附、润滑、粘合、分散和摩擦等密切相关。

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