硅表面疏水性处理微观机理与亲水性处理机理相似,硅表面成为疏性的基本条件为B=A=r(SL)- r(SG)>0
硅片表面必须由高能转化为低能表面。从上式可以看出:完成上述转化的条件为或者使 r(SG)下降,或者r(SL)上升。方法还是改变其表面结构,使 r(SG)减小。硅片经过特殊清洗液洗时,表面形成的自然氧化膜腐蚀掉,Si几乎不被腐蚀。硅片外层的Si儿乎以H键为终端结构,海南亲水处理,表面呈疏水性。
亲疏水处理改变材料表面接触角度,实现不同应用需求。表面亲水处理常被用在采血、样本自驱动、样本观测等液体流动类产品,使用时可起到辅助液体均匀流动的作用,超亲水处理,从而提高产品检测准确率。疏水表面则多用于加样针、微流道芯片、微坑阵列产品等等。
1.接触角小可达8° ,大可达150°
2.聚合物、玻璃、金属、硅等多种基材均可处理
3.多种亲、疏水修饰涂层,满足不同应用场景中的表面处理需求
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